CSD23202W10 SEMICON trans MOSFET p-CH 12V 2.2A 4-speld DSBGA
De EU RoHS |
Volgzaam |
ECCN (vs) |
EAR99 |
Deelstatus |
Actief |
Automobiel |
Nr |
PPAP |
Nr |
Productcategorie |
Machtsmosfet |
Configuratie |
Enig Dubbel Afvoerkanaal |
Procestechnologie |
NexFET |
Kanaalwijze |
Verhoging |
Kanaaltype |
P |
Aantal Elementen per Spaander |
1 |
Maximumafvoerkanaal Bronvoltage (v) |
12 |
Maximumpoort Bronvoltage (v) |
6 |
Het maximumvoltage van de Poortdrempel (v) |
0,9 |
Maximum Ononderbroken Afvoerkanaal Huidig (a) |
2.2 |
Maximumpoort Bronlekkagestroom (Na) |
100 |
Maximumidss (RE) |
1 |
Maximumafvoerkanaal Bronweerstand (mOhm) |
53@4.5V |
Typische Poortlast @ Vgs (nC) |
2.9@4.5V |
Typische Inputcapacitieve weerstand @ Vds (pF) |
394@6V |
Maximummachtsdissipatie (mw) |
1000 |
Typische Dalingstijd (NS) |
21 |
Typische Stijgingstijd (NS) |
4 |
De typische Tijd van de Productvertraging (NS) |
58 |
De typische Tijd van de Inschakelenvertraging (NS) |
9 |
Minimum Werkende Temperatuur (°C) |
-55 |
Maximum Werkende Temperatuur (°C) |
150 |
Verpakking |
Band en Spoel |
Leverancierspakket |
DSBGA |
Pin Count |
4 |
Standaardpakketnaam |
BGA |
Steun |
De oppervlakte zet op |
Pakkethoogte |
0,28 (Maximum) |
Pakketlengte |
1 |
Pakketbreedte |
1 |
Veranderde PCB |
4 |
Loodvorm |
Bal |